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2SB709A	文件：48.65 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPepitaxialplanertype ForgeneralamplificationComplementaryto2SB0709A(2SB709A) ■Features •HighfowardcurrenttransferratiohFE •LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat) •Minitypepackage,allowingdownsizingoftheequipmentandautomaticinsertionthroughthetapepackingandthemagazine	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
2SB709A	文件：38.77 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNepitaxialplanertype SiliconNPNepitaxialplanartype Forgeneralamplification Complementaryto2SB0709A(2SB709A) ■Features •HighfowardcurrenttransferratiohFE •LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat) •Minitypepackage,allowingdownsizingoftheequipmentandautomaticinsertionthrough	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
2SB709A	文件：69.05 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-45V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
2SB709A	文件：98.04 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPepitaxialplanartype SiliconPNPepitaxialplanartype Forgeneralamplification Complementaryto2SD0601A(2SD601A) ■Features •HighforwardcurrenttransferratiohFE •Minitypepackage,allowingdownsizingoftheequipmentand automaticinsertionthroughthetapepackingandthemagazinepacking.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
2SB709A	文件：1.09462 Mbytes Page：2 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB709A	文件：623.42 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB709A	文件：2.06137 Mbytes Page：3 Pages	PowerDissipation ●FEATURES PowerDissipation PCM:0.2W(Tamb=25°C)	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SB709A	文件：771.08 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Complementarypairwith2SD601A. Applications Generalpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SB709A	文件：1.08071 Mbytes Page：2 Pages	Forgeneralamplificationcomplementaryto2SD601A. FEATURES ●HighforwardcurrenttransferratiohFE. ●Minitypepackage,allowingdownsizing oftheequipmentandautomaticinsertion throughthetapepackingandthemagazine packing. APPLICATIONS ●Forgeneralamplificationcomplementaryto2SD601A.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SB709A	文件：662.7 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Forgeneralamplification •Complementaryto2SD601A	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

详细参数

型号：
2SB709A-R
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

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更多2SB709A-R供应商更新时间2023-6-8 12:14:00

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