2SB649D中文资料下载供应商报价TEL-114ic电子网

首页 >2SB649D>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
2SB649	文件：63.42 Kbytes Page：1 Pages	TO-126CPlastic-EncapsulatedTransistors	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SB649	文件：272.58 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialPlanarTransistors PNPEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SB649	文件：205.19 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Complementtotype2SD669/669A •HighbreakdownvoltageVCEO:-120/-160V •Highcurrent-1.5A •Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearity APPLICATIONS •Forlow-frequencypoweramplifierapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SB649	文件：258.25 Kbytes Page：2 Pages	PNPTypePlasticEncapsulateTransistors FEATURES Powersmplifierapplications Powerdissipation PCM:1W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:-1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150 Collector-emittervoltage VC	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB649	文件：77.47 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARPOWERGENERALPURPOSETRANSISTOR PNPSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS *LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithUTC2SD669/A	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB649	文件：35.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPNPEpitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SD669/A	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SB649	文件：148.44 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SD669/669A ·HighbreakdownvoltageVCEO:-120/-160V ·Highcurrent-1.5A ·Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearity APPLICATIONS ·Forlow-frequencypoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB649	文件：150.12 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB649	文件：4.21523 Mbytes Page：3 Pages	TO-92LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Poweramplifierapplications	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SB649	文件：306.37 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypair with2SD669/A	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SB649	文件：1.00971 Mbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-126PlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-126PlasticPackage. Features Complementarypairwith2SD669(A). Applications Lowfrequencypoweramplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SB649	文件：126.72 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •HighCollectorCurrent-lc=-i.5A •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-120V(Min) •GoodLinearityofhFE •LowSaturationVoltage •ComplementtoType2SD669 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SB649	文件：194.46 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARPOWERGENERALPURPOSETRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB649	文件：274.19 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB649	文件：1.04176 Mbytes Page：3 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowFrequencyPowerAmplifierComplementaryPair with2SD669/2SD669A	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SB649A	文件：297.36 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB649A	文件：1.04176 Mbytes Page：3 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowFrequencyPowerAmplifierComplementaryPair with2SD669/2SD669A	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SB649A	文件：148.44 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SD669/669A ·HighbreakdownvoltageVCEO:-120/-160V ·Highcurrent-1.5A ·Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearity APPLICATIONS ·Forlow-frequencypoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB649A	文件：77.47 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARPOWERGENERALPURPOSETRANSISTOR PNPSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS *LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithUTC2SD669/A	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB649A	文件：306.37 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypair with2SD669/A	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN

12 >>>

详细参数

型号：
2SB649D
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SB649G-B-AA3-R	UTC/友顺	2022+	SOT-223	32500	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	2SB649G-B-AA3-R	UTC/友顺	23+		12000		询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SB649G-B-AA3-R	UTC/友顺	2022+	SOT-223	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	2SB649G-B-AA3-R	UTC/友顺	20+	SOT-223	32500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SB649G-B-AB3-R	UTC/友顺	2021+	SOT-89	735224	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市华博特电子有限公司	2SB649G-C-T60-K	UTC	23/22+	TO126	6000	20年老代理.原厂技术支持	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	2SB649L-C-T9N-K	UTC/友顺	2021+	TO92NL	100000	原装现货	询价
深圳兆威电子有限公司	2SB649MOS(场效应管)	华昕	23+	TO-126	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
深圳市仟禧电子有限公司	2SB649MOS(场效应管)	RENESAS/瑞萨	22+	TO126	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SB649MOS(场效应管)	HITACHI/日立	23+	TO-126	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多2SB649D供应商更新时间2024-6-14 14:02:00

详细参数

相关规格书

相关库存