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2SB612	文件：80.11 Kbytes Page：2 Pages	Complement to Type 2SD582 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= -140V(Min) ·High Power Dissipation-: PC= 100W(Max)@TC=25℃ ·Complement to Type 2SD582 APPLICATIONS ·Recommended for 80~100W audio amplifier output stage. 文件：80.11 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB613	文件：123.86 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -250V(Min) • High Power Dissipation- : PC= 150W(Max)@TC=25℃ • High Current Capability • Complement to Type 2SD583 APPLICATIONS • Designed for high power amplifier and switching applications 文件：123.86 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB613	文件：154.35 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -250V(Min) • High Power Dissipation- : PC= 150W(Max)@TC=25℃ • High Current Capability • Complement to Type 2SD583 APPLICATIONS • Designed for high power amplifier and switching applications 文件：154.35 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB616	文件：114.51 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Complement to type 2SD586 APPLICATIONS ·For power amplifier applications 文件：114.51 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB616	文件：134.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Complement to type 2SD586 APPLICATIONS ·For power amplifier applications 文件：134.28 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB611	文件：248.97 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：248.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB612	文件：126.14 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：126.14 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB616	文件：135.86 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：135.86 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB617	文件：144.72 Kbytes Page：1 Pages	PNP / NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR 文件：144.72 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SB617A	文件：144.72 Kbytes Page：1 Pages	PNP / NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR 文件：144.72 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

晶体管资料

型号：
2SB613
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
250V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BUW42,MJ15023,MJ15025,2SB600,2SB645,3CD150H,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
250
htest：
999900
atest：
15
wtest：
150

详细参数

型号：
2SB61
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
isc Silicon PNP Power Transistors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SB613		24+	TO-3	10000		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SB613	HITACHI/日立	23+	TO-3	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SB613	HITACHI/日立	2022+	TO-3	22016	原厂代理终端免费提供样品	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SB613	HITACHI	23+	TO-3	32137	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	2SB613	HITACHI/日立	23+	TO-3	6800	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	2SB613	HITACHI/日立	25+	TO-3	90000	全新原装现货	询价
深圳市斯普仑科技有限公司	2SB613	HITACHI/日立	25+	N/A	20000	只做原装,只有原装。	询价
深圳博中泰实业有限公司	2SB613	HITACHI/日立	25+	TO-3	32714	本公司只做全新原装正品	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SB6131K	SANYO	26+	TO-126	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市威雅利发展有限公司	2SB617	NEC	25+	TSSOP-14	8000	原厂原包装,终端BOM表可配单	询价

更多2SB61供应商更新时间2026-10-14 16:30:00

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