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SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED MESA TRANSISTOR SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED MESA TRANSISTOR ○ Power Amplifier Applications. • Complementary to 2SD371. • Recommended for 30 W High-Fiderity Audio Frequency Amplifier Output Stage. 文件：36.79 Kbytes 页数：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | ||
isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= -100V(Min) ·High Power Dissipation- : PC= 50W(Max)@TC=25℃ ·Complement to Type 2SD371 APPLICATIONS ·Designed for power amplifier applications. 文件：222.08 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -100V(Min) • High Power Dissipation- : PC= 50W(Max)@TC=25℃ • Complement to Type 2SD371 APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications. 文件：128.34 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type 2SD371 ·High power dissipation APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 30W high-fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：113.26 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) • High Power Dissipation- : PC= 60W(Max)@TC=25℃ APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications. 文件：124.44 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High power dissipation APPLICATIONS • Power amplifier applications 文件：108.7 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) • High Power Dissipation- : PC= 60W(Max)@TC=25℃ APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications. 文件：211.94 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Features • Low VCE(sat) • Fast switching speed • Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant Applications • For switching and amplifier applications 文件：739.32 Kbytes 页数：5 Pages | HUIXIN 慧芯电子 | HUIXIN | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type 2SD381 • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • Audio frequency power amplifier • Low speed power switching 文件：94.99 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min.) • Complement to Type 2SD381 APPLICATIONS • Audio frequency power amplifier, low speed switching. • Suitable for driver of 60-100 watts audio amplifier. 文件：126.71 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
90V
- 最大电流允许值：
6A
- 最大工作频率：
8MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BD246B,BD314,BDV94,BDX94,BDX20,2N6226,2N26229,3CD50B,
- 最大耗散功率：
50W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
90
- htest：
8000000
- atest：
6
- wtest：
50
详细参数
- 型号：
2SB53
- 功能描述：
SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED MESA TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
10000 |
询价 | ||||
TOSHIBA/东芝 |
专业铁帽 |
CAN |
200 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
专业铁帽 |
CAN |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
TOSHIBA |
1038+ |
CAN |
200 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
TOS |
23+ |
TO |
20000 |
正品原装货价格低 |
询价 | ||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
TOSHIBA |
22+ |
CAN |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-92 |
250000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
SANYO |
24+ |
CAN3 |
8858 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
询价 | ||
SANYO |
24+ |
CAN3 |
6540 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 |
