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2SB183060MA

LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

DESCRIPTION ➤ 2SB183060MA is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; ➤ Due to special schottky barrier structure, the chips have very low reverse leakage current ( typical IR=0.002mA@ Vr=100V ) and maximum 150°C operation junction temper

文件:20.36 Kbytes 页数:1 Pages

SILAN

士兰微

2SB624-T1B-A

SOT23

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

2SB649AG-C

SOT-89

UTC/友顺

2SB649AL-C

TO-92NL

UTC/友顺

2SB649AL-C-T60-K

TO-126

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更多2SB183060MA供应商 更新时间2025-12-12 16:21:00