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2SB1427T100E	文件：57.46 Kbytes Page：3 Pages	Power transistor (??0V, ??A) Features 1) Low saturation voltage, VCE : Max. −0.5V at IC/IB= −1A / −50mA. 2) Excellent DC current gain characteristics. 文件：57.46 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1427T100E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 2A MPT3	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1691WL-TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
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产品属性

产品编号：
2SB1427T100E
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
390 @ 500mA，6V
频率 - 跃迁：
90MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
MPT3
描述：
TRANS PNP 20V 2A MPT3

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