2SB1424分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2SB1424 |
参数属性 | 2SB1424 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 3A MPT3 |
功能描述 | Low VCE(sat) Transistor (??0V, ??A) |
封装外壳 | TO-243AA |
文件大小 |
72.21 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | ROHM |
中文名称 | 罗姆 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-19 22:59:00 |
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2SB1424规格书详情
2SB1424属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由罗姆半导体集团制造生产的2SB1424晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
特性 Features
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) = −0.2V (Typ.)
(IC/IB = −2A / −0.1A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Complements the 2SD2150 / 2SC4115S.
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
产品属性
更多- 产品编号:
2SB1424T100R
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 100mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
180 @ 100mA,2V
- 频率 - 跃迁:
240MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-243AA
- 供应商器件封装:
MPT3
- 描述:
TRANS PNP 20V 3A MPT3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CJ/长电 |
24+ |
NA/ |
4676 |
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ROHM |
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ROHM/罗姆 |
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