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2SB1308	文件：61.48 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(-50V,-3A) Features 1)Lowsaturationvoltage,typically VCE(sat)=−0.45V(Max.)atIC/IB=−1.5A/−0.15A. 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD1963.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1308	文件：66.51 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-3A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-30V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SB1308	文件：50.99 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistor ■Features ●PowerTransistor ●ExcellentDCcurrentGain ●LowCollector-emitterSaturationVoltage	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1308	文件：189.49 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR FEATURES ●PowerTransistor ●ExcellentDCcurrentGain ●LowCollector-emitterSaturationVoltage	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SB1308	文件：482.13 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●PowerTransistor ●ExcellentDCcurrentGain ●LowCollector-emitterSaturationVoltage ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
2SB1308	文件：1.5223 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●PowerTransistor ●ExcellentDCcurrentGain ●LowCollector-emitterSaturationVoltage	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SB1308	文件：151.95 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor FEATURES ●Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=-0.45(Max)atIC/IB=-1.5A/-0.15A ●ExcellentDCcurrentgaincharacterisitics. ●Complementarythe2SD1963.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SB1308	文件：134.56 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-3A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-30V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SB1308	文件：437.12 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(-50V,-3A) FEATURES Lowsaturationvoltage,typically VCE(sat)=-0.45(Max)atIC/IB=-1.5A/-0.15A ExcellentDCcurrentgaincharacterisitics. Complementarythe2SD1963.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SB1308-Q	文件：1.18006 Mbytes Page：2 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1308-Q	文件：256.8 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SB1308-Q	文件：227.64 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Powerdissipation:PCM=0.5W(Tamb=25°C) •Collectorcurrent:ICM=-3A •Collector-basevoltage:V(BR)CBO	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SB1308-R	文件：227.64 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Powerdissipation:PCM=0.5W(Tamb=25°C) •Collectorcurrent:ICM=-3A •Collector-basevoltage:V(BR)CBO	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SB1308-R	文件：1.18006 Mbytes Page：2 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1308-R	文件：256.8 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC

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