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2SB1261L	文件：833.79 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-126F Plastic Package.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SB1261-Z	文件：1.4266 Mbytes Page：7 Pages	SILICONPOWERTRANSISTOR	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SB1261-Z	文件：41.81 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistor ■Features ●HighhFEhFE=100to400 ●LowVCE(sat)VCE(sat)≤0.3V	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1261-Z	文件：64.03 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
2SB1261-Z	文件：295.69 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTORMP-3 DESCRIPTION The2SB1261-ZisdesignedforAudioFrequencyAmplifierandSwitching,especiallyinHybridIntegratedCircuits. FEATURES •HighhFEhFE=100to400 •LowVCE(sat)VCE(sat)≤0.3V	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SB1261-Z	文件：273.9 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage •HighPowerDissipation- :PC=10W(Max)@TC=25℃ •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuseinaudioamplifierandswitching, especiallyinhybridintegratedcir	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB1261-Z-K	文件：1.08372 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1261-Z-L	文件：1.08372 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1261-Z-M	文件：1.08372 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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