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2SB1260-X-AB3-R	文件：57.69 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1260 is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * High breakdown voltage and high current. BVCEO= -80V, IC= -1A * Good hFE linearity. * Low VCE(SAT) 文件：57.69 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1260-X-AB3-R	文件：236.3 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR 文件：236.3 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1261-AZ-E1	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS TO251	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SB1261-Z-E1-AZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS TO252	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SB1316TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	ROHM/罗姆 PNP	ROHM/罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM/罗姆

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更多2SB1260-X-AB3-R供应商更新时间2025-10-8 15:01:00

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