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2SB1201S-E	文件：347.77 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.4V(Max)@IC=-1A ·GoodLinearityofhFE ·LargeCollectorCurrentIC ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB1201S-TL-E	文件：388.23 Kbytes Page：10 Pages	BipolarTransistor(-)50V,(-)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA BipolarTransistor (–)50V,(–)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •LargecurrentcapacitanceandwideASO •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SB1201-U	文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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BipolarTransistor(-)50V,(-)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA

BipolarTransistor (–)50V,(–)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •LargecurrentcapacitanceandwideASO •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-

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