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2SB1148-251

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -20V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 90(Min)@ IC= -3A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

文件:300.56 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SB1188G-P

SOT-89

UTC/友顺

2SB1188QQ:31569521412SB1188

SOT89

2SB1197KT146R

SMT3

ROHM/罗姆

上传:深圳广友电子有限公司

ROHM/罗姆

2SB1198KT146R

SMT3

ROHM/罗姆

上传:深圳广友电子有限公司

ROHM/罗姆

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