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2SB1119	文件：140.93 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconMediumPowerTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:500mW˄Tamb=25°C Collectorcurrent ICM:-1A Collector-basevoltage VB(BR)CBO:-25V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55ćto+150ć	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1119	文件：51.36 Kbytes Page：1 Pages	PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features ●Verysmallsizemakingiteasytoprovidehighdensity,small-sizedhybridIC’s.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1119	文件：64.25 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:500mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-1A Collectorcurrent(Pulse) ICP:-2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-25V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
2SB1119-T	文件：1.4043 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1119-U	文件：1.4043 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

更多2SB1119S-TD-EIC供应商更新时间2025-7-30 11:00:00