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2SB1116-L-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 1A SOT23	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SB1116	文件：156.49 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS DESCRIPTION The2SB1116/2SB1116AaredisignedforuseindriverandoutputstagesofAFamplifier,generalpurposeapplications.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SB1116	文件：103.04 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION ComplementtoUTC2SD1616/A	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1116	文件：505.02 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor PNPGeneralPurposeTransistor P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SB1116	文件：220.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1116	文件：1.50239 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighCollectorPowerDissipation Complementaryto2SD1616	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SB1116	文件：221.64 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SB1116	文件：1.041 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •HighCollectorPowerDissipation. •Complementaryto2SD1616/2SD1616A	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SB1116	文件：75.35 Kbytes Page：1 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •HighcurrentsurfacemountPNPsiliconswitchingtransistor forLoadmanagementinportableapplications	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SB1116	文件：354.35 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES •HighCollectorPowerDissipation. •Complementaryto2SD1616/2SD1616A	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SB1116	文件：1.76368 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighCollectorPowerDissipation Complementaryto2SD1616/2SD1616A	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SB1116	文件：239.99 Kbytes Page：8 Pages	SILICONTRANSISTORS PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDMID-SPEEDSWITCHING FEATURES •LowVCE(sat) VCE(sat)=−0.20VTYP.(IC=−1.0A,IB=−50mA) •HighPTinsmalldimensionwithgeneral-purpose PT=0.75W,VCEO=−50/−60V,IC(DC)=−1.0A •Complementarytransistor	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SB1116A	文件：1.76368 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighCollectorPowerDissipation Complementaryto2SD1616/2SD1616A	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
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2SB1116A	文件：1.041 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •HighCollectorPowerDissipation. •Complementaryto2SD1616/2SD1616A	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
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2SB1116A	文件：143.18 Kbytes Page：3 Pages	AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIERMEDIUMSPEEDSWITCHING	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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产品属性

产品编号：
2SB1116-L-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
135 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
70MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS PNP 50V 1A SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	2SB1116-L-TP	Micro Commercial Co	2022+	-	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SB1116-L-TP	Micro Commercial Co	24+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	2SB1116SOT-23	长电	2020+	SOT-23	21000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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深圳市凌旭科技有限公司	2SB1116-T-AZ/JD	NEC	2016+	TO-92	10000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
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更多2SB1116-L-TP供应商更新时间2024-5-15 15:00:00

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