2SAR563F3中文资料小型化、高散热性封装，PNP -6A -50V 中功率晶体管数据手册ROHM规格书

描述 Description

2SAR563F3是低VCE(sat)的中功率晶体管，适合低频放大用途。采用热导率、导电率优异的无引线小型表面安装封装HUML2020L3(DFN2020-3S)。

特性 Features

• Suitable for Middle Power Driver.
• Low VCE(sat)
VCE(sat)=-400mV(Max.).
(IC/IB=-3A/-150mA)
• High collector current.
IC=-6A(max),ICP=-12A(max)
• Leadless small SMD package (HUML2020L3)
Excellent thermal and electrical conductivity.

简介

2SAR563F3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2SAR563F3晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。