小型化、高散热性封装，PNP -6A -50V 中功率晶体管

2SAR563F3是低VCE(sat)的中功率晶体管，适合低频放大用途。采用热导率、导电率优异的无引线小型表面安装封装HUML2020L3(DFN2020-3S)。 • Suitable for Middle Power Driver.\n• Low VCE(sat)\nVCE(sat)=-400mV(Max.).\n(IC/IB=-3A/-150mA)\n• High collector current.\nIC=-6A(max),ICP=-12A(max)\n• Leadless small SMD package (HUML2020L3)\nExcellent thermal and electrical conductivity.;

ROHM

罗姆

丝印：ME；Package：DFN2020-3S；PNP -6A -50V Middle Power Transistor

Features 1) Suitable for Middle Power Driver. 2) Low VCE(sat) VCE(sat)=-400mV(Max.). (IC/IB=-3A/-150mA) 3) High collector current. IC=-6A(max),ICP=-12A(max) 4) Leadless small SMD package (HUML2020L3) Excellent thermal and electrical conductivity. Application LOW FREQUENCY

文件：1.55378 Mbytes 页数：9 Pages

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罗姆

Package：3-UDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 50V 6A HUML2020L3

Rohm Semiconductor

RENESAS
SOT89

RENESAS

瑞萨

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ON
TO-89

ON

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