2SAR522EB分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
2SAR522EB |
| 参数属性 | 2SAR522EB 封装/外壳为SC-89,SOT-490;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 0.2A EMT3F |
| 功能描述 | General purpose transistor(-20V,-0.2A) |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | EMT3F / SC-89,SOT-490 |
| 文件大小 |
172.99 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | ROHM |
| 中文名称 | 罗姆 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-3 23:01:00 |
| 人工找货 | 2SAR522EB价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2SAR522EB规格书详情
2SAR522EB属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由罗姆半导体集团制造生产的2SAR522EB晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
2SAR522EBTL
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 10mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 1mA,2V
- 频率 - 跃迁:
350MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-89,SOT-490
- 供应商器件封装:
EMT3F(SOT-416FL)
- 描述:
TRANS PNP 20V 0.2A EMT3F
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
41422 |
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询价 | ||
ROHM(罗姆) |
24+ |
SOT416FL |
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ROHM/罗姆 |
24+ |
SOT-723 |
990000 |
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ROHM |
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EMT3F |
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ROHM |
NA |
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ROHM |
23+ |
NA |
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Rohm(罗姆) |
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ROHM |
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