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2SAR522EB分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SAR522EB

参数属性

2SAR522EB 封装/外壳为SC-89,SOT-490;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 0.2A EMT3F

功能描述

General purpose transistor(-20V,-0.2A)
TRANS PNP 20V 0.2A EMT3F

丝印标识

TL

封装外壳

EMT3F / SC-89,SOT-490

文件大小

172.99 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

ROHM

中文名称

罗姆

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-3 23:01:00

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2SAR522EB规格书详情

2SAR522EB属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由罗姆半导体集团制造生产的2SAR522EB晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SAR522EBTL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    350MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-89,SOT-490

  • 供应商器件封装:

    EMT3F(SOT-416FL)

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 0.2A EMT3F

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