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2SA821	文件：83.97 Kbytes Page：1 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●HighBreakdownVoltage ●LowTransitionFrequency	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SA821	文件：133.85 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.03A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-210V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SA821	文件：252.07 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.03A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-210V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA821	文件：66.74 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.03A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-210V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA821S	文件：64.45 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PD:0.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.03A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-210V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA821S	文件：67.34 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGEAMPLIFIERTRANSISTOR High-voltageAmplifierTransistor(−210V,−30mA) Features 1)Highbreakdownvoltage,(VCER=−210V) 2)Complementsthe2SC1651S.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SA821S	文件：500.29 Kbytes Page：3 Pages	TO-92SPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA821S	文件：132.33 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP)	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

详细参数

型号：
2SA821SN
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | PNP | 210V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA821SN供应商更新时间2024-5-16 15:27:00

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