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2SA812	文件：123.59 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistor Features ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA812	文件：382.47 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Complementaryto2SC1623 ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) ●HighVoltage:Vceo=-50V	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SA812	文件：228.57 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforaudiofrequencyamplifierapplications.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
2SA812	文件：211.78 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SA812	文件：294.38 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
2SA812	文件：1.60188 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Complementaryto2SC1623 HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) HighVoltage:Vceo=-50V	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SA812	文件：136.58 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-60V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SA812	文件：221.59 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor ■FEATURES PNPGeneralPurposeTransistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.	GSME
2SA812	文件：219.91 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA812	文件：844.45 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Complementaryto2SC1623 •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) •HighVoltage:Vceo=-50V	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA812	文件：723.93 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features: 1.hFEishigh,hFE=200(TYP)VCE=-6V,IC=-1mA; 2.Highvoltage,VCEO=-50V; Applications: Forgeneralamplification,itiscomplementaryto2SC1623.	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 赛尔斯深圳市赛尔斯科技有限公司	SHENZHENSLS
2SA812	文件：306.61 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Complementaryto2SC1623 HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) HighVoltage:Vceo=-50V	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
2SA812	文件：626.96 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Complementarypairwith2SC1623. Applications Audiofrequencyamplifierapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SA812	文件：175.65 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA812	文件：1.12207 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Commplementaryto2SC1623. ●HighDCcurrentgain:hFE=200typ. (VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS ●Audiofrequency,generalpurposeamplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SA812	文件：241.88 Kbytes Page：4 Pages	AUDIOFREQUENCY,GENERALPURPOSEAMPLIFIERPNPSILICONEPITAXIALTRANSISTORMINIMOLD FEATURES •Complementaryto2SC1623 •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=−6.0V,IC=−1.0mA)) •HighVoltage:VCEO=−50V	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SA812	文件：69.25 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-60V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA812	文件：253.17 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Commplementaryto2SC1623. ●HighDCcurrentgain:hFE=200typ.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS ●Audiofrequency,generalpurposeamplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA812	文件：2.3639 Mbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES •Commplementaryto2SC1623. •HighDCcurrentgain:hFE=200typ.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) •HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS •Audiofrequency,generalpurposeamplifier.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SA812	文件：1.70898 Mbytes Page：5 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG

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详细参数

型号：
2SA812M
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA812M供应商更新时间2024-6-20 16:30:00

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