2SA812-T1B/JM技术资料参数原装现货瑞萨NEC-114ic电子网

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2SA812-T1B	文件：241.88 Kbytes Page：4 Pages	AUDIOFREQUENCY,GENERALPURPOSEAMPLIFIERPNPSILICONEPITAXIALTRANSISTORMINIMOLD FEATURES •Complementaryto2SC1623 •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=−6.0V,IC=−1.0mA)) •HighVoltage:VCEO=−50V	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC

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AUDIOFREQUENCY,GENERALPURPOSEAMPLIFIERPNPSILICONEPITAXIALTRANSISTORMINIMOLD

FEATURES •Complementaryto2SC1623 •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=−6.0V,IC=−1.0mA)) •HighVoltage:VCEO=−50V

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

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更多2SA812-T1B/JM供应商更新时间2024-6-16 13:57:00