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2SA812	文件：526.31 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Complementaryto2SC1623 HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) HighVoltage:Vceo=-50V	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
2SA812	文件：333.78 Kbytes Page：6 Pages	SILICONTRANSISTOR PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR MINIMOLD FEATURES •Complementaryto2SC1623 •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=−6.0V,IC=−1.0mA) •HighVoltage:VCEO=−50V ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25°C) CollectortoBaseVoltageVCBO−60V CollectortoEmitterVoltageVCEO−50	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SA812	文件：443.2 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistor Features ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SA812	文件：1.70898 Mbytes Page：5 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG
2SA812	文件：2.3639 Mbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES •Commplementaryto2SC1623. •HighDCcurrentgain:hFE=200typ.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) •HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS •Audiofrequency,generalpurposeamplifier.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SA812	文件：1.12207 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Commplementaryto2SC1623. ●HighDCcurrentgain:hFE=200typ. (VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS ●Audiofrequency,generalpurposeamplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SA812	文件：175.65 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA812	文件：626.96 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Complementarypairwith2SC1623. Applications Audiofrequencyamplifierapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SA812	文件：306.61 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Complementaryto2SC1623 HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) HighVoltage:Vceo=-50V	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
2SA812	文件：723.93 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features: 1.hFEishigh,hFE=200(TYP)VCE=-6V,IC=-1mA; 2.Highvoltage,VCEO=-50V; Applications: Forgeneralamplification,itiscomplementaryto2SC1623.	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 三联盛科技股份深圳市三联盛科技股份有限公司	SHENZHENSLS
2SA812	文件：844.45 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Complementaryto2SC1623 •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) •HighVoltage:Vceo=-50V	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA812	文件：219.91 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA812	文件：221.59 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor ■FEATURES PNPGeneralPurposeTransistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司(简称‘桂微’)	GSME
2SA812	文件：136.58 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-60V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SA812	文件：1.60188 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Complementaryto2SC1623 HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) HighVoltage:Vceo=-50V	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SA812	文件：294.38 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
2SA812	文件：211.78 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SA812	文件：228.57 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforaudiofrequencyamplifierapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
2SA812	文件：382.47 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Complementaryto2SC1623 ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) ●HighVoltage:Vceo=-50V	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SA812	文件：123.59 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistor Features ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SA812(M5)	NEC	06+	SOT23	300000		询价
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更多2SA812(M)-T2B供应商更新时间2024-9-22 16:30:00

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