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2SA2151	文件：279.54 Kbytes Page：7 Pages	AudioAmplificationTransistor Description ByadaptingtheSankenuniquewafer-thinnertechnique,thesePNPpowertransistorsachievepower-upbydecreasingthermalresistance,andprovidehighervoltageavalanchebreakdownrating.Thehighpower-handlingcapacityoftheTO-3Ppackageallowsasmallerfootprintonthecircuit	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
2SA2151	文件：103.24 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage V(BR)CEO=-200V(Min) •GoodLinearityofhFE •ComplementtoType2SC6011 APPLICATIONS •Designedforaudioandgeneralpurposeapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA2151	文件：72.03 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage V(BR)CEO=-200V(Min) •GoodLinearityofhFE •ComplementtoType2SC6011 APPLICATIONS •Designedforaudioandgeneralpurposeapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SA2151	文件：221.2 Kbytes Page：7 Pages	AudioAmplificationTransistor Description ByadaptingtheSankenuniquewafer-thinnertechnique,thesePNPpowertransistorsachievepower-upbydecreasingthermalresistance,andprovidehighervoltageavalanchebreakdownrating.Thehighpower-handlingcapacityoftheTO-3Ppackageallowsasmallerfootprintonthecircuit	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
2SA2151A	文件：71.67 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage V(BR)CEO=-230V(Min) •GoodLinearityofhFE •ComplementtoType2SC6011 APPLICATIONS •Designedforaudioandgeneralpurposeapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SA2151A	文件：279.66 Kbytes Page：7 Pages	AudioAmplificationTransistor Description ByadaptingtheSankenuniquewafer-thinnertechnique,thesePNPpowertransistorsachievepower-upbydecreasingthermalresistance,andprovidehighervoltageavalanchebreakdownrating.Thehighpower-handlingcapacityoftheTO-3Ppackageallowsasmallerfootprintonthecircuit	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
2SA2151A	文件：221.11 Kbytes Page：7 Pages	AudioAmplificationTransistor Description ByadaptingtheSankenuniquewafer-thinnertechnique,thesePNPpowertransistorsachievepower-upbydecreasingthermalresistance,andprovidehighervoltageavalanchebreakdownrating.Thehighpower-handlingcapacityoftheTO-3Ppackageallowsasmallerfootprintonthecircuit	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
2SA2151A	文件：96.45 Kbytes Page：2 Pages	ComplementtoType2SC6011A DESCRIPTION •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage V(BR)CEO=-230V(Min) •GoodLinearityofhFE •ComplementtoType2SC6011A APPLICATIONS •Designedforaudioandgeneralpurposeapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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