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2SA2016中文资料双极晶体管,-50V,-7A,低 VCE (sat), (PNP)NPN 单 PCP数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2SA2016

参数属性

2SA2016 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 7A PCP

功能描述

双极晶体管,-50V,-7A,低 VCE (sat), (PNP)NPN 单 PCP
TRANS PNP 50V 7A PCP

封装外壳

TO-243AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-16 11:26:00

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2SA2016规格书详情

描述 Description

2SA2016 is a Bipolar Transistor, -50V, -7A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP for DC-DC Converter Applications.

特性 Features

• Adoption of FBET and MBIT processes
• Large current capacity
• Low collector-to-emitter saturation voltage
• High-speed switching
• Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products
• High allowable power dissipation

应用 Application

• Relay drivers, Lamp drivers, Motor drivers, Flash

简介

2SA2016属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的2SA2016晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2SA2016

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.39

  • IC Cont. (A)

    :7

  • VCEO Min (V)

    :50

  • VCBO (V)

    :100

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :0.83

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :200

  • hFE Max

    :560

  • fT Min (MHz)

    :290

  • PTM Max (W)

    :1.3

  • Package Type

    :SOT-89/PCP-1

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