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2SA2012中文资料双极晶体管,-30V,-5A,低 VCE (sat) PNP 单 PCP数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2SA2012

参数属性

2SA2012 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 5A PCP

功能描述

双极晶体管,-30V,-5A,低 VCE (sat) PNP 单 PCP
TRANS PNP 30V 5A PCP

封装外壳

TO-243AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2026-1-22 20:00:00

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2SA2012规格书详情

描述 Description

2SA2012 is Bipolar Transistor, -30V, -5A, Low VCE(sat) PNP Single PCP for DC-DC converter applications.

特性 Features

• Adoption of MBIT processes
• Large current capacitance
• Low collector-to-emitter saturation voltage
• Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim
• Supports high power dissipation

应用 Application

• Relay drivers
• Lamp drivers
• Motor drivers
• Strobes

简介

2SA2012属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的2SA2012晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2SA2012

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.21

  • IC Cont. (A)

    :5

  • VCEO Min (V)

    :30

  • VCBO (V)

    :30

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :0.83

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :200

  • hFE Max

    :560

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :1.3

  • Package Type

    :SOT-89/PCP-1

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