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2SA2013-TD-E	文件：364.43 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, lamp dr 文件：364.43 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2013-TD-E	文件：364.43 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor 文件：364.43 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2013-TD-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 4A PCP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2013	文件：473.33 Kbytes Page：8 Pages	DC / DC Converter Applications 文件：473.33 Kbytes 页数：8 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2013	文件：364.43 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, lamp dr 文件：364.43 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2013	文件：63.14 Kbytes Page：5 Pages	DC / DC Converter Applications 文件：63.14 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO

产品属性

产品编号：
2SA2013-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
340mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
400MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
TRANS PNP 50V 4A PCP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SA2013-TD-E	ON/安森美	20+	SOT-89	120000	原装正品可含税交易	询价
深圳市润联芯城科技有限公司	2SA2013-TD-E	ON/安森美	21+	SOT-89	78000	只做原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	2SA2013-TD-E	ON/安森美	24+	SOT89	87048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
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深圳市纳立科技有限公司	2SA2013-TD-E		三年内		1983	只做原装正品	询价
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更多2SA2013-TD供应商更新时间2025-12-21 14:00:00

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