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2SA2013-TD-E 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	0.001

厂家型号：
2SA2013-TD-E
产品分类：
芯片
生产厂商：
ON(安森美)
库存数量：
500000
产品封装：
封装
生产批号：
25+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-10-31 15:01:00

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详细信息
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原厂料号：2SA2013-TD-E品牌：ON(安森美)

源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

2SA2013-TD-E是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商ON(安森美)/onsemi生产封装封装/TO-243AA的2SA2013-TD-E晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
2SA2013-TD-E
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
内容页数：
8 页
文件大小：
364.43 kb
资料说明：
Bipolar Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
2SA2013-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
340mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
400MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
TRANS PNP 50V 4A PCP

供应商

企业：
万三科技(深圳)有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
阮海燕
手机：
13530233832
询价：
电话：
0755-28193459
传真：
0755-28193459
地址：
深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园609

2SA2013-TD-E 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

2SA2013-TD-E

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