2SA1955F分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SA1955F |
| 参数属性 | 2SA1955F 封装/外壳为SOT-723；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 12V 0.4A VESM |
| 功能描述 | General Purpose Amplifier Applications Switching and Muting Switch Application |
| 封装外壳 | SOT-723 |
| 文件大小 |
131.77 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
| 企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
| 中文名称 | 株式会社东芝官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 14:50:00 |
| 人工找货 | 2SA1955F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SA1955F规格书详情
General Purpose Amplifier Applications
Switching and Muting Switch Application
• Low saturation voltage: VCE (sat) (1) = −15 mV (typ.) @IC = −10 mA/IB = −0.5 mA
• Large collector current: IC = −400 mA (max)
产品属性
- 产品编号：
2SA1955FVBTPL3Z
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，200mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 10mA，2V
- 频率 - 跃迁：
130MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-723
- 供应商器件封装：
VESM
- 描述：
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
TO252 |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ROHM |
24+ |
SOT252 |
500000 |
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TOSHIBA |
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SOT723 |
90000 |
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TOSHIBA |
23+ |
SOT-723 |
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ROHM/罗姆 |
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TOSHIBA/东芝 |
2023+ |
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原装现货 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT723 |
60000 |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
VESM |
81000 |
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