2SA1955分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SA1955 |
| 参数属性 | 2SA1955 封装/外壳为SOT-723；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 12V 0.4A VESM |
| 功能描述 | TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE AMPLIFIER, SWITCHING AND MUTING SWITCH APPLICATIONS) |
| 封装外壳 | SOT-723 |
| 文件大小 |
159.18 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | TOSHIBA |
| 中文名称 | 东芝 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-5 17:10:00 |
| 人工找货 | 2SA1955价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SA1955规格书详情
General Purpose Amplifier Applications
Switching and Muting Switch Application
• Low saturation voltage: VCE (sat) (1) = −15 mV (typ.)
@IC = −10 mA/IB = −0.5 mA
• Large collector current: IC = −400 mA (max)
产品属性
- 产品编号：
2SA1955FVBTPL3Z
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，200mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 10mA，2V
- 频率 - 跃迁：
130MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-723
- 供应商器件封装：
VESM
- 描述：
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
22+ |
SOT-423 |
20000 |
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询价 | ||
SOT-423 |
23+ |
NA |
15659 |
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询价 | ||
Toshiba |
25+23+ |
Sot-423 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
24+ |
SOT-523 |
6750 |
新进库存/原装 |
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TOSHIBA |
A20E |
SOT723 |
170712 |
询价 | |||
Toshiba Semiconductor and Stor |
2022+ |
VESM |
38550 |
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TOSHIBA/东芝 |
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SOT423 |
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TOSHIBA |
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sot-523 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
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