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2SA1955分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SA1955
厂商型号

2SA1955

参数属性

2SA1955 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 12V 0.4A VESM

功能描述

TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE AMPLIFIER, SWITCHING AND MUTING SWITCH APPLICATIONS)

封装外壳

SOT-723

文件大小

159.18 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2025-8-10 23:01:00

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2SA1955规格书详情

General Purpose Amplifier Applications

Switching and Muting Switch Application

• Low saturation voltage: VCE (sat) (1) = −15 mV (typ.)

@IC = −10 mA/IB = −0.5 mA

• Large collector current: IC = −400 mA (max)

产品属性

  • 产品编号:

    2SA1955FVBTPL3Z

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 10mA,200mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 10mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-723

  • 供应商器件封装:

    VESM

  • 描述:

    TRANS PNP 12V 0.4A VESM

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