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2SA1832-Y,LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SC-75，SOT-416 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 0.15A SSM	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1832	文件：150.55 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70to400 •Complementaryto2SC4738 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1832	文件：384.8 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1832	文件：98.73 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:0.1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.15A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA1832	文件：37.23 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPNPEpitaxialTypeTransistor ■Features ●Highvoltageandhighcurrent ●ExcellenthFElinearity ●Complementaryto2SC4738	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1832	文件：477.42 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●HighVoltageandHighCurrent ●ExcellenthFELinearity ●Complementaryto2SC4738	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1832	文件：774.8 Kbytes Page：3 Pages	PNPTRANSISTOR FEATURES: Highvoltageandhighcurrent ExcellenthFElinearity HighhFE Complementaryto2SA1832	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SA1832	文件：1.54994 Mbytes Page：4 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Highvoltageandhighcurrent ●ExcellenthFElinearity ●Complementaryto2SC4738	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA1832	文件：208.58 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70to400 •Complementaryto2SC4738 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1832	文件：138 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.15A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SA1832	文件：178.84 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA1832	文件：179.07 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ●Highvoltageandhighcurrent. ●ExcellenthFElinearity. ●HighhFE. ●Complementaryto2sc4738. ●Smallpackage.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA1832	文件：208.58 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70to400 •Complementaryto2SC4738 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1832	文件：208.58 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70to400 •Complementaryto2SC4738 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1832	文件：134.47 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA) =0.95(typ.) ●HighhFE:hFE=70~400 ●Complementaryto2SC4738 ●Smallpack	SENSITRON Sensitron	SENSITRON
2SA1832F	文件：208.26 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1832F	文件：146.21 Kbytes Page：2 Pages	AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=120~400 •Complementaryto2SC4738F •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1832FT	文件：127.08 Kbytes Page：3 Pages	AudiofrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudiofrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Highvoltage:VCEO=−50V Highcurrent:IC=−150mA(max) HighhFE:hFE=120to400 ExcellenthFElinearity :hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) Complementaryto2SC4738F	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1832FV	文件：208.58 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70to400 •Complementaryto2SC4738 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1832-G	文件：978.95 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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产品属性

产品编号：
2SA1832-Y,LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，6V
频率 - 跃迁：
80MHz
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-75，SOT-416
供应商器件封装：
SSM
描述：
TRANS PNP 50V 0.15A SSM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	2SA1832-Y,LF	TOSHIBA/东芝	23+	SOT523	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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北京三盛恒业电子有限公司	2SA1832-Y,LF	TOSHIBA	22+	N/A	2500	进口原装,优势现货	询价
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更多2SA1832-Y,LF供应商更新时间2024-6-23 10:45:00

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