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2SA1832	文件：37.23 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPNPEpitaxialTypeTransistor ■Features ●Highvoltageandhighcurrent ●ExcellenthFElinearity ●Complementaryto2SC4738	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1832	文件：98.73 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:0.1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.15A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
2SA1832	文件：384.8 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1832	文件：150.55 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70to400 •Complementaryto2SC4738 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1832	文件：134.47 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA) =0.95(typ.) ●HighhFE:hFE=70~400 ●Complementaryto2SC4738 ●Smallpack	SENSITRON SENSITRON SEMICONDUCTOR	SENSITRON
2SA1832F	文件：208.26 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1832F	文件：146.21 Kbytes Page：2 Pages	AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=120~400 •Complementaryto2SC4738F •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1832FT	文件：127.08 Kbytes Page：3 Pages	AudiofrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudiofrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Highvoltage:VCEO=−50V Highcurrent:IC=−150mA(max) HighhFE:hFE=120to400 ExcellenthFElinearity :hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) Complementaryto2SC4738F	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1832FV	文件：208.58 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70to400 •Complementaryto2SC4738 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1832-G	文件：978.95 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

产品属性

产品编号：
2SA1832-GR,LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，6V
频率 - 跃迁：
80MHz
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-75，SOT-416
供应商器件封装：
SSM
描述：
TRANS PNP 50V 0.15A SSM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	2SA1832-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Stor	2022+	SSM	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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更多2SA1832-GR,LF供应商更新时间2025-7-28 15:01:00

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