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2SA1731	文件：303.36 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-40V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=70(Min)@IC=-0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SiliconPNPPowerTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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High-SpeedSwitchingApplications

High-SpeedSwitchingApplications Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Largecurrentcapacity. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •Fastswitchingspeed.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO

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更多2SA1731-R供应商更新时间2025-5-21 16:20:00

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