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2SA1700	文件：322.53 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Highbreakdownvoltage ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage ·HighPowerDissipation- :PC=10W@TC=25℃,PC=10W@Ta=25℃ ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Forhighvoltagedriverapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1700	文件：303.5 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Highbreakdownvoltage ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage ·HighPowerDissipation- :PC=10W@TC=25℃,PC=10W@Ta=25℃ ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Forhighvoltagedriverapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1700	文件：234.77 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistor FEATURES ●Highbreakdownvoltage. ●AdoptionofMBITprocess. ●ExcellenthFElinearity.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SA1700	文件：316.12 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •Highbreakdownvoltage •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •HighPowerDissipation- :PC=10W@TC=25℃,PC=10W@Ta=25℃ •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Forhighvoltagedriverapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1700	文件：766.92 Kbytes Page：3 Pages	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighBreakdownVoltage ●AdoptionofMBITProcess ●ExcellenthFELinearity	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SA1700	文件：162.17 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGEDRIVERAPPLICATION	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SA1700	文件：1.02028 Mbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features Highbreakdownvoltage,adoptionofMBITprocessexcellenthFElinearity Applications Highvoltagedriverapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SA1700	文件：132.25 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:-400V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SA1700	文件：193.9 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGEDRIVERAPPLICATION	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SA1700	文件：62.33 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:-400V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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