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2SA1313-Y,LF

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 50V 0.5A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Excellent hFE Linearity : hFE(2) =25(Min)at VCE =-6V,IC=- 400mA. High Voltage :VCEO=-50V(Min) Complements to the 2SC3325.

文件:1.50817 Mbytes 页数:4 Pages

DGNJDZ

南晶电子

2SA1313

TRANSISITOR (AUDIO FREQUENCY LOW POWER AMPLIFIER, DRIVER STAGE AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)

Audio Frequency Low Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switching Applications • Excellent hFE linearity: hFE (2) = 25 (min) at VCE = −6 V, IC = −400 mA • High voltage: VCEO = −50 V (min) • Complementary to 2SC3325 • Small package

文件:145.55 Kbytes 页数:2 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1313

Silicon PNP Epitaxial

Features ● High voltage: VCEO = -50 V (min) ● Small package

文件:36 Kbytes 页数:1 Pages

KEXIN

科信电子

产品属性

  • 产品编号:

    2SA1313-Y,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 100mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    200MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    S-Mini

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 0.5A SMINI

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA
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更多2SA1313-Y,LF供应商 更新时间2025-11-1 8:01:00