Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·hFE=100-320(IC= -0.5A; VCE= -2V) ·hFE=70(Min)(IC= -4A; VCE= -2V) ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.0V(Max)( IC= -4A; IB= -0.1A) ··High Power Dissipation- : PC= 10W@TC=25℃,PC= 10W@Ta=25℃ APPLICATIONS ·For medium power amplifier and strobe flash applicati

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ISC

无锡固电

SOT-23

TOSHIBA

东芝

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TO-92L

东芝进口

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SOT252

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