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2SA1213-G	文件：155.55 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor Features -Smallflatpackage. -Poweramplifierandswitchingapplications. -Lowsaturationvoltage. -Highspeedswitchingtime.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2SA1213-HF	文件：507.17 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor Features -Smallflatpackage. -Poweramplifierandswitchingapplications. -Lowsaturationvoltage. -Highspeedswitchingtime.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2SA1213-O	文件：480.65 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •LowSaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max.)(IC=1.0A) •Smallflatpackage •PC=1.0to2.0W(mountedonceramicsubstrate) •HighSpeedSwitchingTime:tstg=1.0µs(typ.) •EpoxymeetsUL	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA1213-O	文件：552.4 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA1213-O	文件：1.66601 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1213-O	文件：1.00251 Mbytes Page：4 Pages	PNPTransistors Features ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=-0.5V(max)(IC=-1A) ●HighSpeedSwitchingTime:tstg=1.0us(typ.) ●SmallFlatPackage ●PC=1to2W(mountedonceramicsubstrate) ●Complementaryto2SC2873	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SA1213O-HF	文件：507.17 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor Features -Smallflatpackage. -Poweramplifierandswitchingapplications. -Lowsaturationvoltage. -Highspeedswitchingtime.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2SA1213PT	文件：154.9 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT2Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SC-62/SOT-89) LowsaturationvoltageVCE(sat)=-0.5V(max.)(IC=-1A) Highspeedswitchingtime:tstg=1.0uSec(typ.) PC=1.0to2.0W(mountedonceramicsubstrate). Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION Power	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
2SA1213SQ	文件：804.03 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
2SA1213Y	文件：200.71 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplications PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=−0.5V(max)(IC=−1A) •Highspeedswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) •Smallflatpackage •PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) •Complementaryto2SC2873	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SA1213-Y(C,F)
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
2SA1213-Y(C,F)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	2SA1213Y(NY)	TOSHIBA/东芝	07+	SOT-89	1000	原装正品力挺实单~支持美金交易和专票,深圳原厂现货~	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SA1213-Y(NY)	TOSHIBA	24+	SOT23	200000		询价
深圳市联世界科技有限公司	2SA1213-Y(T2LNESTC	TOSHIBA	24+/25+		4000	原装正品现货库存价优	询价
深圳兆威电子有限公司	2SA1213-Y(T2LTETZF	TOSHIBA/东芝	22+	SOT-89	35258	原装正品现货	询价
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深圳市科恒伟业电子有限公司	2SA1213-Y(T2LTETZF	TOSHIBA/东芝	1942+	SOT-89	9852	只做原装正品现货或订货!假一赔十!	询价
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更多2SA1213-Y(C,F)供应商更新时间2025-6-29 9:02:00

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