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2SA1163中文资料Transistor for low frequency small-signal amplification数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

2SA1163

参数属性

2SA1163 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

功能描述

Transistor for low frequency small-signal amplification

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2026-2-8 22:52:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SA1163

  • 别名:

    2SA1163三极管、2SA1163晶体管、2SA1163晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    120V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    100MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SA1312,2SA1566,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    120

  • htest:

    100000000

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0

2SA1163规格书详情

描述 Description

Feature:Low noise
Polarity:PNP
Complementary Product:2SC2713
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国

特性 Features

Collector Current IC -0.1 A
Collector-emitter voltage VCEO -120 V

技术参数

  • 制造商编号

    :2SA1163

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :PNP

  • Features

    :Low Noise

  • VCEO(Max)(V)

    :-120

  • IC(Max)(A)

    :-0.1

  • hFE(Min)

    :200

  • hFE(Max)

    :700

  • VCE(sat)(Max)(V)

    :-0.3

  • fT(Typ.)(MHz)

    :100

  • ComplementaryProduct

    :2SC2713

  • Comments

    :Rank is specified by hFE range.

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name

    :SOT-346 (S-Mini)

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.9 x 2.5 x 1.1

  • AEC-Q101

    :Qualified(*)

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