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2SA1163中文资料PDF规格书

2SA1163
厂商型号

2SA1163

参数属性

2SA1163 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

功能描述

Silicon PNP Epitaxial Type

文件大小

36.29 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD
企业简称

KEXIN科信电子

中文名称

广东科信实业有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-16 16:00:00

晶体管资料

  • 型号:

    2SA1163

  • 别名:

    2SA1163三极管、2SA1163晶体管、2SA1163晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    120V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    100MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SA1312,2SA1566,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    120

  • htest:

    100000000

  • atest:

    .1

  • wtest:

    0

2SA1163规格书详情

Features

• High voltage.

• Small package.

• High hFE.

• Low noise.

产品属性

  • 产品编号:

    2SA1163-GR,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2mA,6V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    S-Mini

  • 描述:

    TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
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