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2N7002	文件：88 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELTRANSISTOR Description TheMTN7002N2isaN-channelenhancement-modeMOStransistor. Drain-SourseVoltageBVDSS60V Drain-GateVoltage(RGS=1M:)BVDSS60V Gate-SourceVoltageVGS+/-40V ContinuousDrainCurrent(Ta=25℃)ID2001mA ContinuousDrainCurrent(Ta=100℃)ID1151mA PulsedDrainCurre	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2N7002	文件：89.79 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
2N7002	文件：245.32 Kbytes Page：7 Pages	SMDSignalDMOSTransistor(N-Channel) Features •VoltageControlledSmallSignalSwitch •HighDensityCellDesignforLowRDS(ON) •RuggedandReliable •HighSaturationCurrentCapablity •RoHSCompliance	TAITRON TAITRON	TAITRON
2N7002	文件：546.81 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
2N7002	文件：355.46 Kbytes Page：14 Pages	N-channel60V-1.8廓-0.35A-SOT23-3L/TO-92STripFET??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
2N7002	文件：124.95 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalMOSFET SmallSignalMOSFET115mAmps,60Volts N–ChannelSOT–23	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2N7002	文件：228.66 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFN-CHANNELSMALLSIGNALMOSFET Description Designedforlowvoltageandlowcurrentapplicationssuchassmallservomotorcontrol,powerMOSFETgatedrivers,andotherswitchingapplications.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
2N7002	文件：263.54 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N7002	文件：245.04 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELMOSFET PRODUCTSUMMARY SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) Voltagecontrolledsmallsignalswitch Ruggedandreliable Highsaturationcurrentcapability	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
2N7002	文件：43.36 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFET Features ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability Drain-SourcevoltageVDS60V DrainCurrentID115mA PowerDissipationPD225mW	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2N7002	文件：307.25 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GENERALFEATURES ●VDS=60V,ID=0.115A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
2N7002	文件：291.33 Kbytes Page：6 Pages	0.3Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002	文件：76.05 Kbytes Page：12 Pages	N-channelverticalD-MOStransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. Productavailability:2N7002inSOT23. Features TrenchMOS™technology Veryfastswitching Logiclevelcompatible Subminiaturesurfacemountpackage. Applic	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2N7002	文件：174.87 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF· •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighInputImpedance •HighSpeedSwitching •CMOSLogicCompatibleInput •Marking:7002/S72 ··	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N7002	文件：92.25 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
2N7002	文件：70.63 Kbytes Page：4 Pages	FIELDEFFECTTRANSISTOR INTERFACEANDSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Voltagecontrolledsmallsignalswitch. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapablity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N7002	文件：111.93 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PD:0.35W(Tamb=25℃) Draincurrent ID:250mA Drain-Sourcevoltage VDS:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2N7002	文件：226.69 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFETTransistor SmallSignalMOSFETTransistor FEATURES ●HighDensityCellDesignForLowRDS(ON)。 ●VoltageControlledSmallSwitch. ●RuggedandReliable. ●HighSaturationCurrentCapability. APPLICATIONS ●N-channelenhancementmodeeffecttransistor. ●Switchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2N7002	文件：287.45 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor OptiMOSSmall-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •Logiclevel •Avalancherated •fastswitching •Pb-freelead-plating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
2N7002	文件：660.68 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

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详细参数

型号：
2N7002W-TP
功能描述：
MOSFET SNGL N-CH 60V 115mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2N7002W-TP	MCC/美微科	23+	SOT323	45000	热卖优势现货	询价
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更多2N7002W-TP供应商更新时间2024-5-11 11:36:00

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