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2N7002KW_R1_00001	文件：263.42 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@500mA=3Ω •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance •VeryLowLeakageCurrentInOffCondition •SpeciallyDesignedforBatteryOperatedSystems,Solid-StateRelays Drivers:R	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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2N7002KW_R1_00001

文件：263.42 Kbytes

Page：7 Pages

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected

FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@500mA=3Ω •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance •VeryLowLeakageCurrentInOffCondition •SpeciallyDesignedforBatteryOperatedSystems,Solid-StateRelays Drivers:R

PANJITPan Jit International Inc.

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