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2N7002K-AU_LX_10001	文件：326.7 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@500mA=3Ω • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω • Advanced Trench Process Technology • High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance • Very Low Leakage Current In Off Condition • Specially Designed for Battery Operated Systems, Solid-State Relays 文件：326.7 Kbytes 页数：7 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
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