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2N7002K-AU_B1_10001	文件：326.7 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@500mA=3Ω •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance •VeryLowLeakageCurrentInOffCondition •SpeciallyDesignedforBatteryOperatedSystems,Solid-StateRelays	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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2N7002K-AU_B1_10001

文件：326.7 Kbytes

Page：7 Pages

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected

FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@500mA=3Ω •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance •VeryLowLeakageCurrentInOffCondition •SpeciallyDesignedforBatteryOperatedSystems,Solid-StateRelays

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

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更多2N7002K-AU_B1_10001供应商更新时间2024-5-19 16:16:00

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