2N7000中文资料N CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册KEC规格书
2N7000规格书详情
描述 Description
1. High density cell design for low RDS(ON).
2. Voltage controlled small signal switch.
3. Rugged and reliable.
4. High saturation current capablity.
技术参数
- 型号：
2N7000
- 功能描述：
MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CJ/长电 |
2450+ |
TO92 |
8850 |
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ON/安森美 |
23+ |
TO-92(TO-92-3) |
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25+ |
NA |
880000 |
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TO-92-3 |
25000 |
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ON(安森美) |
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TO-92(TO-92-3) |
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ON/安森美 |
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23+ |
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TO-92 |
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MOT |
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ONsemi |
2023+ |
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43000 |
进口原装现货 |
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