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2N7000数据手册Calogic中文资料规格书

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厂商型号

2N7000

功能描述

N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistor

制造商

Calogic Calogic, LLC

数据手册

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更新时间

2025-8-7 16:12:00

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2N7000规格书详情

描述 Description

DESCRIPTION
The 2N7000 utilizes Calogic’s vertical DMOS technology. The device is well suited for switching applications where BV of 60V and low on resistance (under 5 ohms) are required. The 2N7000 is housed in a plastic TO-92 package.

技术参数

  • 型号:

    2N7000

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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