2N7000中文资料60 V, 5 ohm, N-channel enhancement-mode D-MOS power FET数据手册Topaz规格书
技术参数
- 型号：
2N7000
- 功能描述：
MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CJ/长电 |
2450+ |
TO92 |
8850 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-92(TO-92-3) |
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N/A |
25+ |
NA |
880000 |
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ON |
24+ |
TO-92-3 |
25000 |
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ON(安森美) |
2447 |
TO-92(TO-92-3) |
105000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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FSC/ON |
23+ |
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VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO-92 |
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MOT |
2023+ |
TO-92 |
58000 |
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ONsemi |
2023+ |
3000P/? |
43000 |
进口原装现货 |
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