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2N7000中文资料N沟道增强模式场效应晶体管60V,200mA,5Ω数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2N7000

功能描述

N沟道增强模式场效应晶体管60V,200mA,5Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 8:51:00

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2N7000规格书详情

特性 Features

• Voltage Controlled Small Signal Switch
• High Saturation Current Capability
• Rugged and Reliable
• High Density Cell Design for Low RDS(ON)

应用 Application

• Small Servo Motor Control
• Power MOSFET Gate Drivers
• Assorted Switching Applications

技术参数

  • 制造商编号

    :2N7000

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :0.2

  • PD Max (W)

    :0.35

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :5300

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :5000

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :-

  • Ciss Typ (pF)

    :60

  • Package Type

    :TO-92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
22+
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