2N6520T中文资料High Voltage PNP Bipolar Junction Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
2N6520T |
参数属性 | 2N6520T 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO92-3 |
功能描述 | High Voltage PNP Bipolar Junction Transistor |
封装外壳 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
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2N6520T规格书详情
描述 Description
The High Voltage PNP Bipolar Junction Transistor is designed for general purpose switching applications. The device is housed in the TO-92 package, which is designed for medium power applications.
特性 Features
• High blocking voltage,VCE0 =350 V
• High voltage
• Pb-Free Package
应用 Application
• High voltage
• Power Supplies
简介
2N6520T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N6520T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:2N6520T
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:0.3
- IC Cont. (A)
:0.5
- VCEO Min (V)
:350
- VCBO (V)
:350
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:0.75
- VBE(on) (V)
:2
- hFE Min
:30
- hFE Max
:200
- fT Min (MHz)
:40
- PTM Max (W)
:0.625
- Package Type
:TO-92-3 LF
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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