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2N6520T中文资料High Voltage PNP Bipolar Junction Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2N6520T

参数属性

2N6520T 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO92-3

功能描述

High Voltage PNP Bipolar Junction Transistor
TRANS PNP 350V 0.5A TO92-3

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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2N6520T规格书详情

描述 Description

The High Voltage PNP Bipolar Junction Transistor is designed for general purpose switching applications. The device is housed in the TO-92 package, which is designed for medium power applications.

特性 Features

• High blocking voltage,VCE0 =350 V
• High voltage
• Pb-Free Package

应用 Application

• High voltage
• Power Supplies

简介

2N6520T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N6520T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2N6520T

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.3

  • IC Cont. (A)

    :0.5

  • VCEO Min (V)

    :350

  • VCBO (V)

    :350

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :0.75

  • VBE(on) (V)

    :2

  • hFE Min

    :30

  • hFE Max

    :200

  • fT Min (MHz)

    :40

  • PTM Max (W)

    :0.625

  • Package Type

    :TO-92-3 LF

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