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2N6517	文件：76.42 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:625mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:500mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:350V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2N6517	文件：295.96 Kbytes Page：7 Pages	HighVoltageTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N6517	文件：58.3 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description The2N6517isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage. •LowCollector-EmitterSaturationVoltage. •The2N6517iscomplementaryto2N6520.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2N6517	文件：142.04 Kbytes Page：1 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES HighVoltageTransistors Complementofthe2N6520	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N6517	文件：213.35 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage.	DCCOM Dc Components	DCCOM
2N6517	文件：64.129 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:625mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:500mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:350V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2N6517	文件：1.38427 Mbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors Features Complementto2N6520	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N6517	文件：101.59 Kbytes Page：8 Pages	HighVoltageTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6517	文件：427.63 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor625mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •ThroughHolePackage •150°CJunctionTemperature •VoltageandCurrentarenegativeforPNPtrans	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N6517	文件：26.1 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •HighVoltageTransistor •CollectorDissipation:PC(max)=625mW •Complementto2N6520 •Suffix“-C”meansCenterCollector(1.Emitter2.Collector3.Base)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
2N6517CTA_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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