2N6385P数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
2N6385P |
| 参数属性 | 2N6385P 封装/外壳为TO-204AA，TO-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：POWER BJT |
| 功能描述 | Darlington NPN Silicon Power 40V to 80V, 10A PIND Tested |
| 封装外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-10 23:01:00 |
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2N6385P规格书详情
描述 Description
This specification covers the performance requirements for NPN silicon, power Darlington, 2N6383, 2N6384 and 2N6385 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/523. The device package outlines are as follows: TO-204AA (formerly TO-3) for all encapsulated device types.
简介
2N6385P属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2N6385P晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
2N6385P
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 100mA，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，3V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-204AA（TO-3）
- 描述：
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
3340 |
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询价 | ||
ST |
1738+ |
TO-220 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO220 |
990000 |
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询价 | ||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
询价 | |||
ON |
21+ |
TO-220 |
12588 |
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1983 |
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ON Semiconductor |
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TO-220AB |
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ON/安森美 |
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