2N6385数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
2N6385 |
| 参数属性 | 2N6385 封装/外壳为TO-204AA，TO-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 80V 10A TO204AA |
| 功能描述 | Darlington Transistors |
| 封装外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-12 23:01:00 |
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2N6385规格书详情
描述 Description
This high speed NPN transistor is rated at 10 amps and is military qualified up to the JANTXV level. This TO-204AA isolated package features a 180 degree lead orientation.
简介
2N6385属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2N6385晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
2N6385
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 100mA，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，3V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-204AA（TO-3）
- 描述：
TRANS NPN DARL 80V 10A TO204AA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP(美国微芯) |
24+ |
TO-204 |
907 |
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24+ |
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MICROCHIP(美国微芯) |
2024 |
TO-204AA(TO-3) |
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24+ |
TO-3 |
10000 |
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23+ |
TO-3 |
5000 |
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ON |
21+ |
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