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2N6126中文资料统懋数据手册PDF规格书

2N6126
厂商型号

2N6126

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS

文件大小

190.73 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Mospec Semiconductor
企业简称

MOSPEC统懋

中文名称

统懋半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-2 10:12:00

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2N6126规格书详情

. . . designed for use in power amplifier and switching circuit applications

FEATURES:

* Collector-Emitter Sustaining Voltage-

VCEO(sus) = 45 V (Min) - 2N6121, 2N6124

= 60 V (Min) - 2N6122, 2N6125

= 80 V (Min) - 2N6123, 2N6126

* Collector-Emitter Saturation Voltage

VCEO(sat) = 0.6V (Max..) @ IC = 1.5 A, IB = 0.15 A

产品属性

  • 型号:

    2N6126

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT PNP Med Power

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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